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在半導(dǎo)體、顯示面板及精密電子制造領(lǐng)域，靜電積累可能導(dǎo)致產(chǎn)品良率下降、設(shè)備故障甚至元器件損壞。傳統(tǒng)的電暈放電式離子發(fā)生器雖廣泛應(yīng)用，但其固有的臭氧排放、顆粒污染和氣流干擾問題，使其難以滿足制造環(huán)境的需求。日本Motoyama公司推出的SXN系列軟X射線照射式離子發(fā)生器，采用創(chuàng)新的光電離技術(shù)，提供了更高效、更潔凈的靜電消除解決方案。
SXN系列的核心技術(shù)在于利用3-15keV的軟X射線照射目標(biāo)區(qū)域，使空氣分子（N?、O?等）發(fā)生光電離效應(yīng)，直接生成等量的正負(fù)離子（⊕/?）。相較于傳統(tǒng)的電暈放電技術(shù)，該方式具有以下優(yōu)勢(shì)：
無放電電極：避免電極氧化、顆粒粘附及火花放電風(fēng)險(xiǎn)，適用于Class 1及以上無塵環(huán)境。
離子平衡性佳：正負(fù)離子比例嚴(yán)格均衡（±0V），消除反向充電問題。
無附加污染：不產(chǎn)生臭氧（O?）、氮氧化物（NOx）或電磁干擾（EMI），符合半導(dǎo)體制造的高潔凈要求。
無顆粒釋放，避免污染晶圓、OLED面板等敏感基材。
零臭氧排放，適合光刻、真空鍍膜等對(duì)化學(xué)污染敏感的工藝。
傳統(tǒng)離子風(fēng)機(jī)依賴氣流輸送離子，可能吹動(dòng)薄膜、粉末或微米級(jí)元件。
SXN系列無需風(fēng)扇，通過X射線直接電離目標(biāo)區(qū)域空氣，特別適合柔性顯示面板（OLED）、MEMS器件等精密制造。
可在1秒內(nèi)將±10kV靜電衰減至±100V以下，速度較傳統(tǒng)電暈式快3-5倍。
適用于高速晶圓傳輸、自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）等動(dòng)態(tài)制程。
無電極清潔需求，僅需在X射線管壽命（通常≥3年）到期時(shí)更換，大幅降低停機(jī)時(shí)間。
設(shè)備內(nèi)置異常警報(bào)系統(tǒng)（如輻射源故障、系統(tǒng)錯(cuò)誤），支持預(yù)測(cè)性維護(hù)。
模塊化結(jié)構(gòu)（最小頭部單元φ40×60mm），可嵌入機(jī)械臂、真空腔體或狹小生產(chǎn)線空間。
| 指標(biāo) | SXN-104V | 傳統(tǒng)電暈式離子風(fēng)機(jī) | 優(yōu)勢(shì) |
|---|---|---|---|
| 離子生成方式 | 軟X射線光電離 | 高壓電暈放電 | 無電極污染 |
| 臭氧產(chǎn)生 | 0 ppm | 0.1~1 ppm | 100%潔凈 |
| 靜電消除速度 | ±10kV→±100V（<1s） | ±10kV→±100V（3~5s） | 快3-5倍 |
| 維護(hù)需求 | 僅X射線管更換（≥3年） | 每周電極清潔 | 減少90%維護(hù) |
| 適用環(huán)境 | Class 1無塵室 | Class 1000以上 | 更高潔凈度兼容 |
前道工藝：在光刻、蝕刻、離子注入過程中消除晶圓靜電，防止顆粒吸附及電路損傷。
封裝測(cè)試：避免ESD（靜電放電）導(dǎo)致芯片微短路或可靠性下降。
玻璃基板搬運(yùn)、偏光片貼合時(shí)消除靜電，減少灰塵吸附造成的亮點(diǎn)缺陷。
柔性O(shè)LED制程中，無氣流設(shè)計(jì)確保薄膜材料無位移。
電容、MLCC（多層陶瓷電容）生產(chǎn)時(shí)，防止靜電擊穿介電層。
晶圓級(jí)封裝（WLP）中的高精度貼裝需求。
SXN系列通過軟X射線電離技術(shù)，重新定義了靜電消除的標(biāo)準(zhǔn)，尤其適用于3D NAND、Micro LED、先進(jìn)封裝等新興技術(shù)領(lǐng)域。未來，隨著X射線源微型化及AI動(dòng)態(tài)調(diào)控技術(shù)的發(fā)展，該技術(shù)有望進(jìn)一步拓展至生物芯片、量子器件等更精密的制造場(chǎng)景。
Motoyama SXN系列離子發(fā)生器憑借其0污染、無氣流干擾、超高速度與超低維護(hù)的特性，已成為制造業(yè)靜電控制的解決方案。對(duì)于追求良率與制程穩(wěn)定性的企業(yè)，該產(chǎn)品不僅是技術(shù)升級(jí)的選擇，更是邁向“0缺陷制造"的關(guān)鍵助力。
